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Esa longitud en nm en tiempos se refería a una aproximación bastante exacta al tamaño de puerta, que era también próximo a la longitud del canal de los transistores. Desde la década de los 60 hasta los 2000 el escalado implicaba fundamentalmente retos en torno a la tecnología de litografía (las tecnologías que permiten "dibujar" las distintas partes de un transistor que contienen distinta composición química o incluso las interconexiones metálicas.
El caso es que en la década de los 2000 empieza a no ser un reto sólo el hecho de poder dibujar "más pequeño", sino que nuevos problemas empiezan a surgir con el propio escalado de los transistores. En concreto, a esas escalas comienzan a aparecer fenómenos cuánticos como corrientes túnel, capacitancias parásitas entre los distintos contactos, y sobre todo que el control de la carga a través del terminal de puerta se dificulta enormemente. Es entonces cuando evoluciona la tecnología planar (todo se dibuja sobre la superficie) hacia nuevas topologías de transistor consistentes principalmente en ir más allá y emplear procesos que permiten trabajar de cierta forma en volumen, siendo el principal objetivo dotar al canal de una puerta que lo rodee por más de un solo lado. Ver por ejemplo, el artículo de wikipedia de los FinFET.
El caso es que a partir de aproximadamente 30nm de longitud de puerta el nodo tecnológico ya no describe realmente el tamaño, y ha pasado a ser un número que es poco más que márketing. De hecho, si consultas los tamaños de transistor en los nodos de 7 - 2 nm, verás que a penas serán menos de 40 nm las longitudes de los transistoress. Eso no quiere decir que no haya avances y que los microprocesadores realmente no sean más avanzados, sino que las mejoras se consiguen en otros aspectos ajenos al escalado de los transistores.